摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良, 以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%, 对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证, 得出摩擦工艺发生ESD的原因为TFT基板上面有悬空的大块金属, 在摩擦过程中电荷积累过多容易发生ESD,ESD进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常。生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善, 工艺方面通过增加湿度, 涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善, 设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属, 通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺ESD发生率由20%下降到0%, 大大提高了产品品质, 降低了生产成本。

摩擦Mura是ADS 型TFT-LCD中一种常见不良, 本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质, 摩擦时对摩擦布损伤较大, 摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大, 摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤, 设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响, 孔径直径(5 μm)＜摩擦布毛直径(11 μm), 密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例, 对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化, 摩擦Mura发生率从5%降至0%, 改善效果明显。

Zara Domain是TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)行业TN型产品中常见的不良, 严重影响着产品的良率。本文通过对101.3 mm(3.97 in) TN 产品的大量实验, 系统分析和研究了Zara Domain问题。研究结果表明: 优化产品设计、工艺参数、工艺管控都可有效地管控Zara Domain的发生率。首先通过调控矩阵工厂刻蚀工艺, 确保Shield Bar坡度角保持在45°左右时, Zara Domain发生率为0%。其次在盒工厂摩擦工艺段, 也可通过调控摩擦滚轮的摩擦强度值来提高摩擦后配向能力的均一性来降低Zara Domain的发生率。实验发现当摩擦强度值保持在2.3 N·m时, Zara Domain的发生率＜1%。另外通过改善对盒过程中高温固化的冷却工艺, 在设备上方增加空调扇, 加速冷却, 也可使Zara Domain的发生率<1%。本文通过对101.3 mm(3.97 in) TN产品系统的研究, 有望为解决Zara Domain不良提供一定的技术支持。

为了研究锁模光纤激光器中矢量孤子的动力学特征，利用非线性偏振旋转锁模机制，实验获得了矢量孤子及矢量孤子簇。矢量孤子簇表现出来的动力学特点与抽运功率与偏振设置有关。抽运功率越高，由矢量孤子裂变所形成的矢量孤子簇对数越多。而且，孤子簇脉冲序列在时域上显示出强度周期调制现象。实验中观察到强度周期调制的4阶和7阶脉冲矢量孤子簇。结果表明，强度周期调制的矢量孤子簇输出是非线性偏振旋转锁模光纤激光器偏振调制的本征属性，孤子簇周期强度调制现象归因于腔内偏振相关隔离器对孤子簇的周期偏振调制的结果。

讨论高阶效应对自相似抛物线脉冲传输中相互作用的影响.数值研究结果证明高阶效应使得自相似抛物线脉冲形状畸变非常严重，并加剧脉冲间的相互作用.我们分析了不同的高阶效应对脉冲间相互作用的具体影响.而且我们可通过幅度调制和脉冲压缩技术，获得较高质量的自相似抛物线脉冲串传输.这些结果对进一步研究高质量的自相似抛物线脉冲在高功率超短脉冲光纤放大器、激光器和传输系统中的应用有重要的意义.